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AT45DB081, 8Mb 2.7-V Minimum DataFlash® |
AT45DB081的型号标识和参数如下表所示：
| AT45DB081D-SU 型号标识 |
| AT |
ATMEL品牌标识 |
| 45DB |
产品系列 |
| 08 |
器件密度，08 = 8-Mb |
| 1 |
接口，1 = 串行 |
| D |
器件版本 |
| S |
封装类型，SOP,贴片8脚 |
| SS |
封装类型，SSOP,贴片密脚 |
| H |
无铅工业级，NiPdAu Lead Finish |
| U |
无铅工业级 |
| AT45DB081D-SU 参数特性 |
| 容量 |
8 M |
| Vcc |
2.7～3.6 V |
| 应用等级 |
工业级 |
|
AT45DB081D-SU的封装为：SOP-8
AT45DB081-RC的封装为：SOP-28
AT45DB081A-CC的封装为：BGA
AT45DB081B-TC的封装为：TSOP |
AT45DB081D-SU的包装规格为：
包装一：AT45DB081D-SU-B
类型：Bulk（管装）
每管：95 pcs
总共：100 管；9,500 pcs
包装二：AT45DB081D-SU-T
类型：Tape&Reel（卷带装）
每盘：2,000 pcsAT45DB081D-SSU的包装规格为：
包装一：AT45DB081D-SSU-B
类型：Bulk（管装）
每管：100 pcs
总共：100 管；10,000 pcs
包装二：AT45DB081D-SSU-T
类型：Tape&Reel（卷带装）
每盘：4,000 pcs
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AT45DB081 中文资料 DATSHEET 规格书
| AT45DB081 DataSheet |
AT45DB081D-SU价格 |
AT45DB081B-RC价格 |
AT45DB081B-CNU中文数据手册 |
AT45DB081D-SSH pdf |
| AT45DB081A-RC中文资料 |
AT45DB081-RC中文手册 |
AT45DB081D引脚图 |
AT45DB081A-CC原装现货 |
AT45DB081B-TC Notes |
AT45DB081D 概述
AT45DB081的AT45DB081D版：
AT45DB081D是一款2.5V或2.7V，串行接口的FLASH存储器，是各种数字语音，图像，程序代码和数据存储应用的理想选择。AT45DB081D支持RapidS串行接口，适用于要求高速操作的应用。RapidS串行接口兼容SPI，最高频率可达66MHz。AT45DB081D的存储容量为8,650,752位，组织形式为4,096页，每页256或264页。
除了主存储器外，AT45DB081D还包含2个256/264字节的SRAM缓冲区。缓冲区允许在对主存储器的页面重新编程时接收数据，也可写入连续的数据串。通过独立的“读-改-写”三步操作，可以轻松实现EEPROM仿真（可设置成位或字节）。DataFlash通过RapidS串行接口顺序访问数据，而不像传统FLASH存储器那样通过复用总线和并行接口随机存取。
简单顺序访问机制极大的减少了有效引脚的数量，有利于硬件布局，增强了系统可靠性，将切换噪音降至最小，并缩小了封装的尺寸。
对于许多要求高容量，低引脚数，低电压和低功耗的商业级或工业级应用来讲，AT45DB081D是最佳的选择。
为了实现简单的在系统重复编程，AT45DB081D并不需要高输入电压来支持编程。AT45DB081D工作在独立的2.5V至3.6V或者2.7V至3.6V电压下，用于编程和读取操作。AT45DB081D可通过片选引脚（/CS）使能，并通过3-wire接口访问，3-wire由串行输入（SI），串行输出（SO），和串行时钟（SCK）组成。
所有的编程和擦除周期都遵循自时序。 |
| AT45DB081D 参数 |
| AT45DB081D 基本参数 |
| 容量 |
|
8M |
| Vcc (V) |
|
2.5, 2.7 |
| AT45DB081D 其他特性 |
| I/O引脚 |
|
8 |
| 接口类型 |
|
SPI,RapidS |
| 页面大小 (Bytes) |
|
264 |
| AT45DB081D 封装类型 |
| SOIC8 (150mil) |
| SOIC8 (208mil) |
| MLF(VDFN)8 |
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AT45DB081D 特性
AT45DB081的AT45DB081D版：
- 单独2.5V或2.7V至3.6V工作电压 RapidS串行接口：66 MHz最小时钟频率 SPI兼容模式 0 和 3 用户自定义页面大小
— 256 字节每页
— 264 字节每页
- 页编程操作
— 智能编程操作
— 4,096 页(256/264 字节/页)主存储器
- 灵活的擦除选项
— 页擦除(256 Bytes)
— 块擦除(2 Kbytes)
— 扇区擦除(64 Kbytes)
— 片擦除(8 Mbits)
- 2个SRAM数据缓冲区(256/264 字节)
— 在对FLASH阵列重新编程时允许接收数据
- 通过整体阵列可连续读取
— 代码映射应用的理想选择
- 低功耗
— 7 mA 典型有效读取电流
— 25 μA典型待机电流
— 5 μA 典型掉电模式电流
- 硬件和软件数据保护特性
— 独立扇区
- 扇区锁定，用于代码安全和数据存储
— 独立扇区
- 安全性：128字节安全寄存器
— 64字节用户可编程空间
— 唯一的64字节设备标识符
- JEDEC标准的制造商和器件ID标识
- 每页编程/擦除周期最小100,000次
- 数据保存-20年
- 工业级温度范围
- 可选绿色环保(Pb/Halide-free/RoHS 认证)封装
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