Ramtron成立于1984年，作为一家研究和开发铁电技术用于半导体存储器公司。从1984年到1992年底，具有天才设计师的Ramtron团队研究和开发了铁电材料，并且完全符合CMOS半导体制造工艺标准。

在1993到1997年间，Ramtron建立了目前的总部，并开始运行F-RAM试点生产工厂，工厂完成后，Ramtron开始销售铁电存储器产品和授权F-RAM技术给顶级半导体公司。

Ramtron第一个授权的公司，罗姆（ROHM）电子在1998年开始生产，Ramtron停止了所有工业制造的设备，开始作为一家无晶圆半导体公司运作。Ramtron和各种合作伙伴共同发展，继续使用自己的设备进行前沿的F-RAM研究和开发活动。

今天，Ramtron已经成长为一家无晶圆芯片公司。公司出售独一无二的高性能产品给全球的电子OEM厂商，并与领先半导体制造商保持着授权和制造伙伴关系。Ramtron的商业F-RAM产品全部由美国和日本的战略代工厂所制造，并计划为我们的产品扩大生产供应的来源。


Ramtron International (纳斯达克代码：RMTR) 总部设在美国科罗拉多州 Colorado Springs 市，专门设计、开发和销售专用的半导体存储器、微控制器和集成半导体解决方案，广泛用于全球多个应用和市场。

为了加快我们的上市时间， Ramtron是一家无晶圆厂公司。 这意味着我们可以集中我们的资源，进行产品研究和发展，并致力于深入了解我们的高端市场的客户。 通过与顶级的半导体代工厂合作，我们利用业界最好的制造商生产我们的优势产品和解决方案。

公司简介

Ramtron Internationa是全球领先的非易失性铁电半导体的供应商，其产品包括串行和并行铁电随机存储器（F-RAM）以及基于处理器系统的集成多种常用分立模拟和混合信号功能的处理器伴侣产品。


Ramtron International（Nasdaq: RMTR）公司总部设在美国科罗拉多州Colorado Springs市，专业的设计、销售和技术支持团队遍布全球。Ramtron是一家无晶圆厂半导体公司，与美国和亚洲领先的存储器生产商保持着战略伙伴关系。欲了解更多我们全球公司地点的有关信息，请查看 Ramtron 全球。

非易失性存储器

F-RAM产品结合了ROM的非易性数据存储性能和RAM的优势，具有几乎无限次的读写次数、高速读写周期和低功耗特点。我们的F-RAM产品线具有多种接口和容量，包括工业标准的串行和并行接口；工业标准的封装类型；4Kb、16Kb、256Kb、1Mb、2Mb和4Mb存储容量。 所有Ramtron的F-RAM产品具备的3大特点，使其不同于其他非易失性存储技术：   快速写入 F-RAM执行写操作的速度和读操作的速度一样快。就在总线速度下写数据而言，F-RAM对写入的数据变成非易失性数据并没有任何延迟。与基于浮栅技术的非易失性存储器5毫秒的数据读写延时相比，F-RAM的写入速度只为几十纳秒，在汽车安全系统应用中必不可少。   高耐久性 F-RAM提供几乎无限次写入的耐久性，这就意味着它不存在像其他非易失性存储器件那样。对于采用浮栅技术的非易失性存储器而言，存在1E5时钟周期的硬故障和无法写入，不适合应用于高耐久性的应用。     低功耗 F-RAM操作无需(高压)充电激励，因此可以降低功耗。采用浮栅技术的非易失存储器在写操作过程中需要高电压支持，而F-RAM的写操作只需要本身制造工艺的的电压：5V，3V或通过提高工艺使电压更低。   更多详细产品信息及完整说明请查看我们最新的非易失性存储器产品： 串行F-RAM存储器 并行F-RAM存储器 F-RAM处理器伴侣

什么是F-RAM

半导体存储器入门

相对于其它类型的半导体技术而言，铁电随机存储器（F-RAM）具有一些独一无二的特性。已经确定的半导体存储器可以分为两类：易失性和非易失性。易失性存储器包括静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）以及其他类型存储器。RAM类型存储器易于使用，高性能，但它们有着共同的弱点：在掉电的情况下会失去所保存的数据。

F-RAM芯片包含一个锆钛酸铅[Pb(Zr,Ti)O3]的薄铁电薄膜，通常被称为PZT（图1）。PZT 中的Zr/Ti原子在电场中改变极性，从而产生一个二进制开关。与RAM器件不同，F-RAM在电源被关闭或中断时，由于PZT晶体保持极性能保留其数据记忆。这种独特的性质让F-RAM成为一个低功耗、非易失性存储器。

F-RAM、ROM都属于非易失性存储器，在掉电情况下数据不会丢失。新一代ROM，像EEPROM（可擦可编程只读存储器）和Flash存储器，可以被擦除，并多次重复编程，但它们需要高电压写入且写入速度非常慢。基于ROM技术的存储器读写周期有限（仅为1E5次），使它们不适合高耐性工业应用。

F-RAM比一般串口EEPROM器件有超过10,000倍的耐性，低于3,000倍的功耗和将近500倍的写入速度（图 2）。

F-RAM结合了RAM和ROM的优势，与传统的非易失存储器相比，具有高速、低功耗、长寿命的特点。


F-RAM 优势

F-RAM有三种不同的特性使其优于浮栅技术器件：

快速写入
高耐久性
低功耗


以下列举了F-RAM在一些行业应用领域中与其他存储器相比较的主要优势：

频繁掉电环境
任何非易失性存储器可以保留配置。可是，配置更改或电源失效情况随时可能发生，因此，更高写入耐性的F-RAM允许无任何限制的变更记录。任何时间系统状态改变，都将写入新的状态。这样可以在电源关闭可用的时间很短或立即失效时状态被写入存储器。

高噪声环境
在嘈杂的环境下向EEPROM写数据是很困难的。在剧烈的噪音或功率波动情况下，EEPROM的写入时间过长会出现漏洞（以毫秒衡量），在此期间写入可能被中断。错误的概率跟窗口的大小成正比。F-RAM的写入执行窗口少于200ns。

RFID系统
在非接触式存储器领域里，F-RAM提供一个理想的解决方案。低功耗访问在RFID系统中至关重要，因为，能源消耗是以距离成指数下降的。想要以最小的能耗读写标签数据就必须保持标签有足够近的距离。通过对射频发射机和接收机改进写入距离，降低运动的灵敏性（区域内的时间）以及降低射频（RF）功率需求，使需要写入的应用（i.e.借记卡，在生产工序中使用的标签）获得优势。

诊断和维护系统
在一个复杂的系统里，记录系统失效时的操作历史和系统状态是非常宝贵的。如果没有这些数据，能够准确的解决或执行需求指令是很困难的。由于F-RAM具备高耐久性的特点，可以生成一个理想的系统日志。从计算机工作站到工业过程控制不同的系统，都能从F-RAM中获益。