公司概况



IXYS公司是世界著名的半导体厂家,成立于1983年, 总部设于加利福尼亚州,其产品括MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块,Hybrid和晶体管等.

艾赛斯的HiPer MOSFET , 由于内置了恢复速度快,恢复特性良好的二极管,无论在动态和静态状态下, dv/dt的特性都得以提高,从而使HiPerFET在更恶劣的条件下也能安全工作,因此,它适合在各种感性负载作为开关器件.

其中的Q-class MOSFET , 在此基础上采用了新的芯片技术,减少了门极充电电量Qg和米勒电容Crss,因而大大的提高了器件的开关效率和频率.

F-Class MOSFET , 主要在超高频的开关电源,射频,激光等应用,操作频率可达到150MHz , 该系列产品有极低的门极充电电量 .
德国IXYS Corporation (IXYS)子公司Micro Wave Technology宣布，从BAE Systems接获250多万美元的合约，这份合约包括供应大量客制化连结微波扩大器，配备军方电力规格和高可靠性准则。

IXYS公司正式推出低电压大电流采用绝缘封装的MOSFET，电压从55V到100V，有极低损耗和极低的Rds(on)，这是IXYS公司不断丰富的针对低电压，大电流功率变换的应用的产品之一。
新的大电流MOSFET采用了IXYS专利的ISOPLUS封装工艺！这种ISOPLUS i5-Pak封装的 大电流MOSFET特点是导通损耗和开关损耗极低，有硬开关需要的雪崩额定值。这一系列采用ISOPLUS i5-Pak 封装的MOSFET集成了两个大电流MOSFET芯片，是高可靠性，高大电流处理能力的绝缘封装的产品。传统的分立器件的封装的电流处力能力基本上都是局限在75A以下，这大大低于其内部的晶片的电流处力能力。而IXYS的ISOPLUS i5-Pak封装就是为克服这一难点设计的，它结合了非常好的绝缘，散热能力和高功率循环能力等优点。同时可以灵活地把不同拓朴结构封装于其中。以这系列的大电流MOSFET为例，该产品有5个管脚。集成了并联的两个MOSFET，以两个内部相联的管脚作输出，使该封装的电流处理能力高达150A，大大超出传统封装电流处理能力的极限！
所有IXYS的ISOPLUS封装均采用直接铜焊（DCB）技术作内部绝缘(该技术一般只应用于功率模块)，并且已取得UL认证。其中：IXTL2X240N055T，是55V的，Rds(on)仅0.0044欧姆，Rth(jc)仅1.0 k/w ，IXTL2X18N10T 100V Rds(on)仅0.0074欧姆，Rth(jc)仅1.0 k/w,这些产品能为电动汽车， 电动叉车， 电动摩托车，高尔夫球车等高功率，低电压的应用提供独特的高性价比的器件方案。

WORLD OF IXYS
Headquartered in Milpitas, CA, and Biel, Switzerland, IXYS has gained a worldwide reputation as a premier power semiconductor manufacturer. Its diversified product base of specialized power semiconductors, integrated circuits and RF power is utilized by more than 2500 customers worldwide, ranging across industrial, transportation, telecommunications, computer, medical, consumer and clean tech markets. Learn more about IXYS’ 28-year history, its founder Dr. Nathan Zommer, its divisions and current growth.